IXYH50N120C3D1, IGBTs XPT 1200V IGBT GenX6 XPT IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 690 руб.
1 шт.
на сумму 3 690 руб.
Плати частями
от 924 руб. × 4 платежа
от 924 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Описание Транзистор БТИЗ, 1200В 90A 625Вт TO247AD Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 90A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 195ns |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 4V@15V, 50A |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 625W |
| Pulsed Collector Current (Icm) | 210A |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 142nC |
| Turn?off Delay Time (Td(off)) | 133ns |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 1mJ |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 28ns |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 3mJ |
| Type | - |
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 50A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Gate charge | 142nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 625W |
| Pulsed collector current | 210A |
| Technology | GenX3™, Planar, XPT™ |
| Turn-off time | 0.22µs |
| Turn-on time | 96ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 180 КБ
Datasheet IXYH50N120C3D1
pdf, 179 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
