IXYH55N120A4, IGBTs TO247 1200V 55A XPT

IXYH55N120A4, IGBTs TO247 1200V 55A XPT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 050 руб.
от 30 шт.1 530 руб.
1 шт. на сумму 2 050 руб.
Плати частями
от 514 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005250366
Артикул: IXYH55N120A4
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT XPT GEN 4 1200V TO247

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 650 W
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение XPT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 175 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 350 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 30
Серия Trench - 650V - 1200V GenX46
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet IXYH55N120A4
pdf, 1129 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов