IXYN30N170CV1, IGBT Modules 1700V/85A High Voltage XPT IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 760 руб.
1 шт.
на сумму 9 760 руб.
Плати частями
от 2 440 руб. × 4 платежа
от 2 440 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V/85A High Voltage XPT IGBT
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 680 W |
Вид монтажа | Chassis Mount |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Коммерческое обозначение | XPT |
Конфигурация | Single Dual Emitter |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 88 A |
Подкатегория | IGBTs |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Размер фабричной упаковки | 10 |
Тип продукта | IGBT Modules |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | Module |
California Prop 65 | Warning Information |
Current - Collector (Ic) (Max) | 88A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 275A |
ECCN | EAR99 |
Gate Charge | 140nC |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Type | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Power - Max | 680W |
REACH Status | REACH Unaffected |
Reverse Recovery Time (trr) | 160ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | XPTв„ў -> |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Switching Energy | 5.9mJ (on), 3.3mJ (off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 28ns/150ns |
Test Condition | 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 30A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Channel Type | N |
Configuration | Dual Emitter |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1700 V |
Maximum Continuous Collector Current | 270 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 680 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | SOT-227B |
Pin Count | 4 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 202 КБ
Datasheet IXYN30N170CV1
pdf, 209 КБ
Datasheet IXYN30N170CV1
pdf, 206 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов