IXYT55N120A4HV, IGBTs TO268 1200V 55A XPT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 790 руб.

от 10 шт. — 3 370 руб.

от 30 шт. — 2 730 руб.

от 60 шт. — 2 538.45 руб.

1 шт. на сумму 3 790 руб.

Плати частями
от 949 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8005250380

Артикул: IXYT55N120A4HV

Unclassified

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT XPT GEN 4 1200V TO268HV

Pd - рассеивание мощности	650 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	XPT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	175 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	350 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	30
Серия	Trench - 650V - 1200V GenX52
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-268HV-3
Чувствительный к влажности	Yes
Вес, г	1

pdf, 932 КБ

Мы рекомендуем