IXYY8N90C3, IGBTs 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3

Фото 1/2 IXYY8N90C3, IGBTs 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
910 руб.
от 10 шт.790 руб.
от 25 шт.648 руб.
от 70 шт.552.71 руб.
1 шт. на сумму 910 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005250384
Артикул: IXYY8N90C3
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 900В, 8А, 125Вт, TO252 Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Brand: IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 900 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 3 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 20 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 70
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Manufacturer: IXYS
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: TO-252-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 125 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Series: Planar
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Tradename: XPT
Вид IGBT
Тип БТИЗ
Вес, г 3.95

Техническая документация

Datasheet
pdf, 178 КБ
Datasheet
pdf, 180 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов