BSM180D12P2C101, MOSFET Modules Mod: 1200V 180A (no Diode)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 шт., срок 5-7 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
114 300 руб.
1 шт.
на сумму 114 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Описание НПН-коп. 50В 0,03А 0,2Вт СОТ22 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 180 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1130 W |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 22 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.7 V |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Высота | 21.1 mm |
| Длина | 122 mm |
| Другие названия товара № | BSM180D12P2C101 |
| Категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Half-Bridge |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | Discrete Semiconductor Modules |
| Продукт | Power Semiconductor Modules |
| Размер фабричной упаковки | 12 |
| Серия | BSMx |
| Тип | SiC Power MOSFET |
| Тип продукта | Discrete Semiconductor Modules |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Bulk |
| Ширина | 45.6 mm |
| Вес, г | 50 |
Техническая документация
Datasheet BSM180D12P2C101
pdf, 1414 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
