EM6K7T2R, MOSFETs TRNSISTR DUAL MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7750 шт., срок 5-7 недель
160 руб.
от 10 шт. —
120 руб.
от 100 шт. —
60 руб.
от 1000 шт. —
36.49 руб.
1 шт.
на сумму 160 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения5
Описание
Unclassified
МОП-транзистор TRNSISTR DUAL МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 800 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 10 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Другие названия товара № | EM6K7 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 200 mS |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Серия | EM6K7 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Dual |
| Factory Pack Quantity | 8000 |
| Fall Time | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min | 200 mS |
| Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number Of Channels | 2 Channel |
| Package / Case | SOT-563-6 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | EM6K7 |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 800 mOhms |
| Rise Time | 10 ns |
| Series | EM6K7 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.8 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-563 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.2mm |
| Вес, кг | 6.04 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
