HP8M51TB1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
557 шт., срок 5-7 недель
660 руб.
от 10 шт. —
520 руб.
от 100 шт. —
391 руб.
от 500 шт. —
288.49 руб.
1 шт.
на сумму 660 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 100 NCH+PCH POWER
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 7 W |
Qg - заряд затвора | 15 nC, 26.2 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 170 mOhms, 290 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 13 ns |
Время спада | 14 ns, 19 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 2 Channel |
Конфигурация | Dual |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 50 ns, 75 ns |
Типичное время задержки при включении | 13 ns, 15 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | HSOP-8 |
Вес, г | 47 |
Техническая документация
Datasheet HP8M51TB1
pdf, 2460 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.