HP8M51TB1

HP8M51TB1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
557 шт., срок 5-7 недель
660 руб.
от 10 шт.520 руб.
от 100 шт.391 руб.
от 500 шт.288.49 руб.
1 шт. на сумму 660 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005263045
Бренд: Rohm

Описание

Unclassified
МОП-транзистор 100 NCH+PCH POWER

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 4.5 A
Pd - рассеивание мощности 7 W
Qg - заряд затвора 15 nC, 26.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 170 mOhms, 290 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 13 ns
Время спада 14 ns, 19 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 2 Channel
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel, P-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения 50 ns, 75 ns
Типичное время задержки при включении 13 ns, 15 ns
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок HSOP-8
Вес, г 47

Техническая документация

Datasheet HP8M51TB1
pdf, 2460 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.