HP8MA2TB1, MOSFETs HP8MA2 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET for switching application.
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1855 шт., срок 5-7 недель
520 руб.
от 10 шт. —
380 руб.
от 100 шт. —
303 руб.
от 250 шт. —
261.45 руб.
1 шт.
на сумму 520 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 30V N-CHANNEL
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 18 A, 15 A |
Pd - рассеивание мощности | 7 W |
Qg - заряд затвора | 22 nC, 25 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.6 mOhms, 17.9 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 12 ns, 14 ns |
Время спада | 14 ns, 60 ns |
Другие названия товара № | HP8MA2 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 2 Channel |
Конфигурация | Dual |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 46 ns, 73 ns |
Типичное время задержки при включении | 14 ns, 9.4 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | HSOP-8 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N, P |
Maximum Continuous Drain Current | 18 A, 15 A |
Maximum Drain Source Resistance | 16.5 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V, ±20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5(N Channel)V, 2.5(P Channel)V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 7 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1(N Channel)V, 1(P Channel)V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | HSOP8 |
Pin Count | 8 |
Series | HP8MA2 |
Typical Gate Charge @ Vgs | 22 nC @ 10 V(N Channel), 25 nC @ 10 V(P Channel) |
Width | 5.8mm |
Вес, г | 0.3359 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 4471 КБ
Datasheet HP8MA2TB1
pdf, 2379 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.