HP8MA2TB1, MOSFETs HP8MA2 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET for switching application.

Фото 1/2 HP8MA2TB1, MOSFETs HP8MA2 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET for switching application.
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1855 шт., срок 5-7 недель
520 руб.
от 10 шт.380 руб.
от 100 шт.303 руб.
от 250 шт.261.45 руб.
1 шт. на сумму 520 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005263046
Артикул: HP8MA2TB1
Бренд: Rohm

Описание

Unclassified
МОП-транзистор 30V N-CHANNEL

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 18 A, 15 A
Pd - рассеивание мощности 7 W
Qg - заряд затвора 22 nC, 25 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 9.6 mOhms, 17.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 12 ns, 14 ns
Время спада 14 ns, 60 ns
Другие названия товара № HP8MA2
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 2 Channel
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel, P-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения 46 ns, 73 ns
Типичное время задержки при включении 14 ns, 9.4 ns
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок HSOP-8
Channel Mode Enhancement
Channel Type N, P
Maximum Continuous Drain Current 18 A, 15 A
Maximum Drain Source Resistance 16.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Maximum Gate Source Voltage ±20 V, ±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2.5(N Channel)V, 2.5(P Channel)V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 7 W
Minimum Gate Threshold Voltage 1(N Channel)V, 1(P Channel)V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type HSOP8
Pin Count 8
Series HP8MA2
Typical Gate Charge @ Vgs 22 nC @ 10 V(N Channel), 25 nC @ 10 V(P Channel)
Width 5.8mm
Вес, г 0.3359

Техническая документация

Datasheet
pdf, 4471 КБ
Datasheet HP8MA2TB1
pdf, 2379 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.