QS5U27TR, MOSFETs P-CH 20V 1.5A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2333 шт., срок 5-7 недель
210 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
от 100 шт. —
114 руб.
от 500 шт. —
91.87 руб.
1 шт.
на сумму 210 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
МОП-транзистор P-CH 20V 1.5A
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 1.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Qg - заряд затвора | 4.2 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 10 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Высота | 0.85 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Другие названия товара № | QS5U27 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | QS5U27 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TSMT-5 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 10 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 1.5 A |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TSMT-5 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | QS5U27 |
| Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 200 mOhms |
| Rise Time | 10 ns |
| Series | QS5U27 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| Вес, г | 0.014 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 895 КБ
Datasheet QS5U27TR
pdf, 895 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
