R6004KNX, MOSFETs Nch 600V 4A Si MOSFET
![R6004KNX, MOSFETs Nch 600V 4A Si MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516946.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
181 шт., срок 5-7 недель
540 руб.
от 10 шт. —
420 руб.
от 100 шт. —
319 руб.
1 шт.
на сумму 540 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
МОП-транзистор Nch 600V 4A Si МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
Pd - рассеивание мощности | 40 W |
Qg - заряд затвора | 10.2 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 900 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 10 ns |
Время спада | 25 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.5 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | Super Junction-MOS KN |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 30 ns |
Типичное время задержки при включении | 15 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Base Product Number | R6004 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.2nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
Package | Bulk |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 980mOhm @ 1.5A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-220FM |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet R6004KNX
pdf, 1610 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.