R6004KNX, MOSFETs Nch 600V 4A Si MOSFET

R6004KNX, MOSFETs Nch 600V 4A Si MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
181 шт., срок 5-7 недель
540 руб.
от 10 шт.420 руб.
от 100 шт.319 руб.
1 шт. на сумму 540 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005264499
Артикул: R6004KNX
Бренд: Rohm

Описание

Unclassified
МОП-транзистор Nch 600V 4A Si МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 4 A
Pd - рассеивание мощности 40 W
Qg - заряд затвора 10.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 900 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 10 ns
Время спада 25 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 1.5 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 500
Серия Super Junction-MOS KN
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 30 ns
Типичное время задержки при включении 15 ns
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка Bulk
Упаковка / блок TO-220-3
Base Product Number R6004 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.2nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Other Related Documents http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Package Bulk
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 980mOhm @ 1.5A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-220FM
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet R6004KNX
pdf, 1610 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.