R6006JNXC7G, MOSFETs Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2026 шт., срок 5-7 недель
500 руб.
от 10 шт. —
390 руб.
от 100 шт. —
303 руб.
1 шт.
на сумму 500 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 600V N-CH 6A POWER
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 43 W |
| Qg - заряд затвора | 15.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 936 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 14 ns |
| Время спада | 27 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Base Product Number | R6006 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5nC @ 15V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 100V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 936mOhm @ 3A, 15V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 800ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 930 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 7V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 43 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220FM |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15.5 nC @ 15 V |
| Width | 5mm |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2169 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
