R6006KND3TL1, MOSFETs Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006KND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the swi

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2390 шт., срок 5-7 недель

610 руб.

от 10 шт. — 450 руб.

от 100 шт. — 358 руб.

от 250 шт. — 307.44 руб.

1 шт. на сумму 610 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005264502

Артикул: R6006KND3TL1

Бренд: Rohm

Unclassified

МОП-транзистор 600V N-CH 6A POWER МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	6 A
Pd - рассеивание мощности	70 W
Qg - заряд затвора	12 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	830 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	22 ns
Время спада	30 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	30 ns
Типичное время задержки при включении	17 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	TO-252-3
Вес, г	1

pdf, 1575 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем