R6020ENJTL, MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1425 шт., срок 5-7 недель
780 руб.
от 10 шт. —
620 руб.
от 25 шт. —
567 руб.
от 100 шт. —
440.58 руб.
1 шт.
на сумму 780 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Super Junction-MOS EN & KN MOSFETs ROHM Semiconductor Super Junction-MOS EN and KN MOSFETs combine the low-noise characteristics of planar MOSFETs and the low ON-resistance characteristics of Super Junction MOSFETs. The EN series is offered in 600V and 650V versions and is recommended for power supply circuits requiring noise countermeasures. The fast-switching KN series is offered in 600V, 650V, and 800V variants and is recommended for power supply circuits demanding lower loss and greater efficiency.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 67 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Part # Aliases: | R6020ENJ |
| Pd - Power Dissipation: | 231 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 60 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 196 mOhms |
| Rise Time: | 53 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 150 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 20A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 196mΩ@9.5A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@1mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.4nF@25V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 40W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 60nC@10V |
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1608 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
