R6020JNXC7G, MOSFETs R6020JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1784 шт., срок 5-7 недель
770 руб.
от 50 шт. —
660 руб.
1 шт.
на сумму 770 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 600V N-CH 20A POWER
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Pd - рассеивание мощности | 76 W |
| Qg - заряд затвора | 45 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 234 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 22 ns |
| Время спада | 13 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | PrestoMOS |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | BM14270MUV-LB |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 56 ns |
| Типичное время задержки при включении | 29 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Base Product Number | R6020 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 15V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 100V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Power Dissipation (Max) | 76W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 234mOhm @ 10A, 15V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 3.5mA |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.18Ом |
| Power Dissipation | 76Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 6В |
| Рассеиваемая Мощность | 76Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.18Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FM |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet R6020JNXC7G
pdf, 2407 КБ
Datasheet R6020JNXC7G
pdf, 2434 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
