Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Rohm › R6020JNZ4C13, MOSFETs R6020JNZ4 is a power ...

R6020JNZ4C13, MOSFETs R6020JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

551 шт., срок 5-7 недель

1 230 руб.

от 10 шт. — 1 100 руб.

от 25 шт. — 1 060 руб.

1 шт. на сумму 1 230 руб.

Плати частями
от 309 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8005264525

Артикул: R6020JNZ4C13

Бренд: Rohm

Описание

Unclassified

МОП-транзистор 600V N-CH 20A POWER

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	20 A
Pd - рассеивание мощности	252 W
Qg - заряд затвора	45 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	234 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	22 ns
Время спада	13 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	PrestoMOS
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	30
Серия	BM14270MUV-LB
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	56 ns
Типичное время задержки при включении	29 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.18Ом
Power Dissipation	76Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	15В
Напряжение Истока-стока Vds	600В
Непрерывный Ток Стока	20А
Пороговое Напряжение Vgs	6В
Рассеиваемая Мощность	76Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.18Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	1