R6020PNJFRATL, MOSFETs Nch 600V Vdss 20A ID TO-263(D2PAK); LPTS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
929 шт., срок 5-7 недель
1 700 руб.
от 10 шт. —
1 430 руб.
от 25 шт. —
1 330 руб.
от 100 шт. —
1 077.24 руб.
1 шт.
на сумму 1 700 руб.
Плати частями
от 425 руб. × 4 платежа
от 425 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
AEC-Q101 Automotive MOSFETsROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100V DSS to 100V DSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and R DS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 70 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 7 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | R6020PNJFRA |
| Pd - Power Dissipation: | 304 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 65 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 250 mOhms |
| Rise Time: | 60 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 230 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 40 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.19Ом |
| Power Dissipation | 304Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 304Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.19Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263S |
| Вес, г | 3.95 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
