R6030ENZ4C13, MOSFETs Nch 600V 30A Power MOSFET. R6030ENZ4 is a power MOSFET for switching applications.
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 шт., срок 5-7 недель
1 770 руб.
от 25 шт. —
1 620 руб.
от 100 шт. —
1 400 руб.
1 шт.
на сумму 1 770 руб.
Плати частями
от 444 руб. × 4 платежа
от 444 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 600V N-CH 30A POWER МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Pd - рассеивание мощности | 305 W |
| Qg - заряд затвора | 85 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 130 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 55 ns |
| Время спада | 60 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 190 ns |
| Типичное время задержки при включении | 40 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Base Product Number | R6030 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 305W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 14.5A, 10V |
| REACH Status | REACH Affected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet R6030ENZ4C13
pdf, 1383 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
