R6030JNXC7G, MOSFETs 600V Vdss; 95W Pd PrestoMOS; 30A

Фото 1/2 R6030JNXC7G, MOSFETs 600V Vdss; 95W Pd PrestoMOS; 30A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
862 шт., срок 5-7 недель
1 090 руб.
1 шт. на сумму 1 090 руб.
Плати частями
от 274 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005264532
Артикул: R6030JNXC7G
Бренд: Rohm

Описание

Unclassified
МОП-транзистор 600V Vdss;95W Pd PrestoMOS;30A

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 30 A
Pd - рассеивание мощности 95 W
Qg - заряд затвора 74 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 143 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 7 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 26 ns
Время спада 25 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение PrestoMOS
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 50
Серия 123
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 70 ns
Типичное время задержки при включении 37 ns
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок TO-220FM-3
Base Product Number R6030 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 15V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max) 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 143mOhm @ 15A, 15V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-220FM
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 7V @ 5.5mA
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.11Ом
Power Dissipation 95Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 15В
Напряжение Истока-стока Vds 600В
Непрерывный Ток Стока 30А
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 95Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.11Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-220FM
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1585 КБ
Datasheet R6030JNXC7G
pdf, 1640 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.