R8002CND3FRATL, MOSFETs TO252 N CHAN 800V MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3250 шт., срок 5-7 недель
560 руб.
от 10 шт. —
440 руб.
от 25 шт. —
412 руб.
от 100 шт. —
339 руб.
1 шт.
на сумму 560 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 3.3Ом |
| Power Dissipation | 69Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 2А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 69Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 3.3Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1333 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
