RCJ050N25TL, MOSFETs 10V Drive Nch Power MOSFET
![RCJ050N25TL, MOSFETs 10V Drive Nch Power MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/531/DOC006531971.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
745 шт., срок 5-7 недель
300 руб.
от 10 шт. —
230 руб.
от 100 шт. —
167 руб.
от 500 шт. —
131.94 руб.
1 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 10V Drive Nch Power МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
Pd - рассеивание мощности | 30 W |
Qg - заряд затвора | 8.5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 970 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 16 ns |
Время спада | 10 ns |
Другие названия товара № | RCJ050N25 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | RCJ050N25 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 18 ns |
Типичное время задержки при включении | 15 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Вес, г | 2.2 |
Техническая документация
Datasheet RCJ050N25TL
pdf, 836 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.