RCJ160N20TL, MOSFETs 10V DRIVE N-Ch MOSFET
![RCJ160N20TL, MOSFETs 10V DRIVE N-Ch MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/531/DOC006531971.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1087 шт., срок 5-7 недель
500 руб.
от 10 шт. —
390 руб.
от 100 шт. —
293 руб.
от 250 шт. —
251.76 руб.
1 шт.
на сумму 500 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 10V DRIVE N-Ch МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 16 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 180 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | RCJ160N20 |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | RCJ160N20 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet RCJ160N20TL
pdf, 731 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.