RCJ200N20TL, MOSFETs 10V DRIVE N-Ch MOSFET

RCJ200N20TL, MOSFETs 10V DRIVE N-Ch MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1869 шт., срок 5-7 недель
770 руб.
от 10 шт.610 руб.
от 100 шт.456 руб.
от 250 шт.394.59 руб.
1 шт. на сумму 770 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005264956
Артикул: RCJ200N20TL
Бренд: Rohm

Описание

Unclassified
МОП-транзистор 10V DRIVE N-Ch МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 20 A
Pd - рассеивание мощности 106 W
Qg - заряд затвора 40 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 130 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № RCJ200N20
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия RCJ200N20
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок TO-263-3
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet RCJ200N20TL
pdf, 736 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.