RCJ200N20TL, MOSFETs 10V DRIVE N-Ch MOSFET
![RCJ200N20TL, MOSFETs 10V DRIVE N-Ch MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/531/DOC006531971.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1869 шт., срок 5-7 недель
770 руб.
от 10 шт. —
610 руб.
от 100 шт. —
456 руб.
от 250 шт. —
394.59 руб.
1 шт.
на сумму 770 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 10V DRIVE N-Ch МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
Pd - рассеивание мощности | 106 W |
Qg - заряд затвора | 40 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 130 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | RCJ200N20 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | RCJ200N20 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet RCJ200N20TL
pdf, 736 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.