RD3P200SNTL1, MOSFETs RD3P200SN is a Power MOSFET with Low on - resistance., suitable for Switching.
![Фото 1/3 RD3P200SNTL1, MOSFETs RD3P200SN is a Power MOSFET with Low on - resistance., suitable for Switching.](https://static.chipdip.ru/lib/523/DOC006523445.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172283.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/220/DOC026220513.jpg)
12402 шт., срок 5-7 недель
600 руб.
от 10 шт. —
440 руб.
от 100 шт. —
352 руб.
от 250 шт. —
321.97 руб.
1 шт.
на сумму 600 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 100V N-CH 20A POWER
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
Pd - рассеивание мощности | 20 W |
Qg - заряд затвора | 55 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 46 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 35 ns |
Время спада | 100 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | RD3P |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 150 ns |
Типичное время задержки при включении | 100 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.033Ом |
Power Dissipation | 20Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 20А |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 20Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.033Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-252 |
Pin Count | 3 |
Transistor Material | Si |
Вес, г | 3.698 |
Техническая документация
Datasheet RD3P200SNTL1
pdf, 1626 КБ
Datasheet RD3P200SNTL1
pdf, 1628 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.