RGPR10BM40FHTL, IGBTs 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4902 шт., срок 5-7 недель
540 руб.
от 10 шт. —
420 руб.
от 100 шт. —
315 руб.
от 250 шт. —
272.89 руб.
1 шт.
на сумму 540 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Automotive Ignition IGBTs ROHM Semiconductor Automotive Ignition IGBTs with low collector-emitter saturation voltage are suitable for the ignition coil and solenoid driver circuits. The IGBT transistors feature high self-clamped inductive switching energy, built-in gate-emitter protection diode, and built-in gate-emitter resistance. These IGBT transistors operate at -40ºC to 175ºC and -55ºC to 175ºC storage temperature. The devices are housed in 3-pin TO-252 and TO263S packages and are a highly reliable product for automotive.
Технические параметры
Brand: | ROHM Semiconductor |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 460 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 20 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 20 A |
Factory Pack Quantity: | 2500 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 600 uA |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -10 V, 10 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | TO-252-3 |
Part # Aliases: | RGPR10BM40FH |
Pd - Power Dissipation: | 107 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Qualification: | AEC-Q101 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1166 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.