RGS60TS65DHRC11, IGBTs 650V 30A Field Stop Trench IGBT. ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide ra

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

449 шт., срок 5-7 недель

1 400 руб.

от 25 шт. — 960 руб.

от 100 шт. — 862 руб.

1 шт. на сумму 1 400 руб.

Плати частями
от 350 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8005265129

Артикул: RGS60TS65DHRC11

Бренд: Rohm

Unclassified

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A FIELD STOP TRENCH

Pd - рассеивание мощности	223 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	RGS60TS65DHR
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Квалификация	AEC-Q101
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	56 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	30
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247N-3
Вес, г	1