RGT00TS65DGC11, IGBTs 650V 50A Trench IGBT Field Stop TO-247N

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

361 шт., срок 5-7 недель

1 580 руб.

от 10 шт. — 1 230 руб.

от 25 шт. — 1 120 руб.

от 100 шт. — 902.45 руб.

1 шт. на сумму 1 580 руб.

Плати частями
от 395 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8005265134

Артикул: RGT00TS65DGC11

Бренд: Rohm

Unclassified

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A Trench IGBT Field Stop TO-247N

Pd - рассеивание мощности	277 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	RGT00TS65D
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	85 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	450
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247N-3
Вес, г	6