RGTH50TK65GC11, IGBTs ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-curren

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

448 шт., срок 5-7 недель

1 540 руб.

от 10 шт. — 1 390 руб.

от 25 шт. — 1 070 руб.

от 100 шт. — 873.72 руб.

1 шт. на сумму 1 540 руб.

Плати частями
от 385 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8005265156

Артикул: RGTH50TK65GC11

Бренд: Rohm

Unclassified

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Pd - рассеивание мощности	59 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	RGTH50TK65
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	26 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	30
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3PFM
Collector Emitter Saturation Voltage	1.6В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	26А
Power Dissipation	59Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-3PFM
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	1