RGTH80TK65GC11, IGBTs ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-curren
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 шт., срок 5-7 недель
1 730 руб.
от 10 шт. —
1 560 руб.
от 25 шт. —
1 200 руб.
от 100 шт. —
981.44 руб.
1 шт.
на сумму 1 730 руб.
Плати частями
от 434 руб. × 4 платежа
от 434 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 66 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | RGTH80TK65 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 31 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-3PFM |
Base Product Number | RGTH80 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 31A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
ECCN | EAR99 |
Gate Charge | 79nC |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Type | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
Power - Max | 66W |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-3PFM |
Td (on/off) @ 25В°C | 34ns/120ns |
Test Condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 31А |
Power Dissipation | 66Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PFM |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGTH80TK65GC11
pdf, 805 КБ
Datasheet RGTH80TK65GC11
pdf, 613 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.