RGTV00TK65GVC11, IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

400 шт., срок 5-7 недель

1 760 руб.

от 10 шт. — 1 580 руб.

от 25 шт. — 1 330 руб.

от 100 шт. — 1 062.83 руб.

1 шт. на сумму 1 760 руб.

Плати частями
от 440 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8005265163

Артикул: RGTV00TK65GVC11

Бренд: Rohm

Unclassified

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

Pd - рассеивание мощности	94 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	45 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	45 A
Подкатегория	IGBTs
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3PFM
Collector Emitter Saturation Voltage	1.5В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	45А
Power Dissipation	94Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	Field Stop Trench RGTV Series
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-3PFM
Вес, г	1