RGW00TK65GVC11, IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 шт., срок 5-7 недель
1 810 руб.
от 10 шт. —
1 490 руб.
от 100 шт. —
1 090 руб.
от 450 шт. —
880.33 руб.
1 шт.
на сумму 1 810 руб.
Плати частями
от 454 руб. × 4 платежа
от 454 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 89 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 45 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 45 A |
Подкатегория | IGBTs |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-3PFM |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 45А |
Power Dissipation | 89Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PFM |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGW00TK65GVC11
pdf, 1593 КБ
Datasheet RGW00TK65GVC11
pdf, 1599 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.