RGW00TS65GC11, IGBTs 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

RGW00TS65GC11, IGBTs 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
385 шт., срок 5-7 недель
1 680 руб.
от 25 шт.1 270 руб.
от 100 шт.956 руб.
1 шт. на сумму 1 680 руб.
Плати частями
от 420 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005265172
Артикул: RGW00TS65GC11
Бренд: Rohm

Описание

Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 254 W
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 96 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 96 A
Подкатегория IGBTs
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247N-3
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet RGW00TS65GC11
pdf, 1582 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.