RGW00TS65GC11, IGBTs 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
385 шт., срок 5-7 недель
1 680 руб.
от 25 шт. —
1 270 руб.
от 100 шт. —
956 руб.
1 шт.
на сумму 1 680 руб.
Плати частями
от 420 руб. × 4 платежа
от 420 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 254 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 96 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 96 A |
Подкатегория | IGBTs |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247N-3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGW00TS65GC11
pdf, 1582 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.