RHK003N06FRAT146, MOSFETs N CHAN 4V
![RHK003N06FRAT146, MOSFETs N CHAN 4V](https://static.chipdip.ru/lib/545/DOC006545326.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4715 шт., срок 5-7 недель
140 руб.
от 10 шт. —
90 руб.
от 100 шт. —
52 руб.
от 1000 шт. —
35.72 руб.
1 шт.
на сумму 140 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
МОП-транзистор TRANS
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 300 mA |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Qg - заряд затвора | 3 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 5 ns |
Время спада | 80 ns |
Другие названия товара № | RHK003N06FRA |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | RHK003N06 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 13 ns |
Типичное время задержки при включении | 6 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-346-3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RHK003N06FRAT146
pdf, 1583 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.