RJP020N06T100, MOSFETs N-CH 60V 2.5A

RJP020N06T100, MOSFETs N-CH 60V 2.5A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
19188 шт., срок 5-7 недель
250 руб.
от 10 шт.190 руб.
от 100 шт.144 руб.
от 500 шт.109.91 руб.
1 шт. на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8005265194
Артикул: RJP020N06T100
Бренд: Rohm

Описание

Unclassified
МОП-транзистор N-CH 60V 2.5A

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 2 A
Pd - рассеивание мощности 2 W
Qg - заряд затвора 5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 240 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 12 V, + 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 800 mV
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 18 ns
Время спада 20 ns
Высота 1.5 mm
Длина 4.5 mm
Другие названия товара № RJP020N06
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия RJP020N06
Технология Si
Тип MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel MOSFET
Типичное время задержки выключения 40 ns
Типичное время задержки при включении 8 ns
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок SOT-89-3
Ширина 2.5 mm
Вес, г 0.1305

Техническая документация

Datasheet RJP020N06T100
pdf, 883 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.