RQ5E030RPTL, MOSFETs P-CHANNEL -30V 3A
![RQ5E030RPTL, MOSFETs P-CHANNEL -30V 3A](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288656.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11183 шт., срок 5-7 недель
180 руб.
от 10 шт. —
150 руб.
от 100 шт. —
97 руб.
от 500 шт. —
73.75 руб.
1 шт.
на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.055Ом |
Power Dissipation | 1Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 3А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 1Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.055Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-346T |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.4013 |
Техническая документация
Datasheet RQ5E030RPTL
pdf, 2541 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.