RQ6E085BNTCR, MOSFETs Nch 30V 8.5A Si MOSFET

RQ6E085BNTCR, MOSFETs Nch 30V 8.5A Si MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3853 шт., срок 5-7 недель
260 руб.
от 10 шт.200 руб.
от 100 шт.151 руб.
от 500 шт.115.23 руб.
1 шт. на сумму 260 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005265274
Артикул: RQ6E085BNTCR
Бренд: Rohm

Описание

Unclassified
МОП-транзистор Nch 30V 8.5A Si МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 8.5 A
Pd - рассеивание мощности 1.25 W
Qg - заряд затвора 32.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 11.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 16 ns
Время спада 31 ns
Другие названия товара № RQ6E085BN
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 8 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 70 ns
Типичное время задержки при включении 11 ns
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок SOT-457-6
Continuous Drain Current (Id) 8.5A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 14.4mΩ@8.5A, 10V
Drain Source Voltage (Vdss) 30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.5V@1mA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 1.35nF@15V
Power Dissipation (Pd) 1.25W
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 32.7nC@10V
Type 1PCSNChannel
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet RQ6E085BNTCR
pdf, 1549 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.