RQ7E055ATTCR, MOSFETs Pch -30V -5.5A Si MOSFET
![RQ7E055ATTCR, MOSFETs Pch -30V -5.5A Si MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/574/DOC006574868.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3417 шт., срок 5-7 недель
310 руб.
от 10 шт. —
220 руб.
от 100 шт. —
168 руб.
от 500 шт. —
135.81 руб.
1 шт.
на сумму 310 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
МОП-транзистор Pch -30V -5.5A Si МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 5.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
Qg - заряд затвора | 18.8 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 19.3 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 13 ns |
Время спада | 21 ns |
Другие названия товара № | RQ7E055AT |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.2 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 52 ns |
Типичное время задержки при включении | 9.5 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | TSMT-8 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RQ7E055ATTCR
pdf, 1524 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.