BSS138AKAR, MOSFETs BSS138AKA/SOT23/TO-236AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
428876 шт., срок 5-7 недель
87 руб.
от 10 шт. —
61 руб.
от 100 шт. —
24 руб.
от 1000 шт. —
15.76 руб.
1 шт.
на сумму 87 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Unclassified
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 125мА, 360мВт, SOT23 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 1.06 W |
| Qg - заряд затвора | 0.39 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 6 ns |
| Время спада | 22 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 320 mS |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 36 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | TO-236AB-3 |
| Continuous Drain Current (Id) | 200mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 4.5Ω@100mA, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 47pF@30V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW;1.06W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 510pC@4.5V |
| Type | null |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.06 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Series | BSS138AKA |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.39 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 0.024 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BSS138AKAR
pdf, 712 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
