Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Nexperia › BSS138BKW,115, MOSFETs BSS138BKW/SOT323/SC-70

BSS138BKW,115, MOSFETs BSS138BKW/SOT323/SC-70

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

407256 шт., срок 5-7 недель

95 руб.

от 10 шт. — 53 руб.

от 100 шт. — 26 руб.

от 1000 шт. — 15.50 руб.

1 шт. на сумму 95 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8005273999

Артикул: BSS138BKW,115

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Unclassified

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,21А, 310мВт, SOT323 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	320 mA
Pd - рассеивание мощности	310 mW
Qg - заряд затвора	0.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	480 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	5 ns
Время спада	20 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BSS138BKW
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel Trench MOSFET
Типичное время задержки выключения	38 ns
Типичное время задержки при включении	5 ns
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-323-3
кол-во в упаковке	3000
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	320 mA
Maximum Drain Source Resistance	1.6 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	1.6V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	310 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	0.48V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-323
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Width	1.4mm
Lead Finish	Tin
Max Processing Temp	260
Mounting	Surface Mount
Operating Temperature	-55 to 150 °C
RDS-on	1600@10V mOhm
Typical Fall Time	20 ns
Typical Rise Time	5 ns
Typical Turn-Off Delay Time	38 ns
Typical Turn-On Delay Time	5 ns
Вес, г	0.005