BUK9609-40B,118, MOSFETs BUK9609-40B/SOT404/D2PAK

Фото 1/2 BUK9609-40B,118, MOSFETs BUK9609-40B/SOT404/D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6803 шт., срок 5-7 недель
510 руб.
от 10 шт.400 руб.
от 100 шт.301 руб.
от 800 шт.178.66 руб.
1 шт. на сумму 510 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005274314
Артикул: BUK9609-40B,118
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Unclassified
МОП-транзистор HIGH PERF TRENCHMOS

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 95 A
Pd - рассеивание мощности 157 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
Vgs - напряжение затвор-исток 15 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 106 ns
Время спада 89 ns
Высота 4.5 mm
Длина 10.3 mm
Другие названия товара № /T3 BUK9609-40B
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 800
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 108 ns
Типичное время задержки при включении 29 ns
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок TO-263-3
Ширина 9.4 mm
Base Product Number BUK9609 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 5V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power Dissipation (Max) 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 25A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў ->
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±15V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Вес, г 92

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.