PSMN1R0-30YLC,115, MOSFETs PSMN1R0-30YLC/ SOT669/LFPAK
см. техническую документацию
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
The PSMN1R0-30YLC is a N-channel enhancement-mode logic level MOSFET optimised for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC converters, lithium-ion battery protection, load switching, power O-ring, server power supplies, sync rectifier and domestic equipment applications.
• Ultra-low QG, QGD and QOSS for high system efficiencies at low and high loads
• Ultra-low RDS (ON) and low parasitic inductance
• -55 to 175°C Junction temperature range
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 850мкОм |
| Power Dissipation | 137Вт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.41В |
| Рассеиваемая Мощность | 137Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 850мкОм |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-669 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Case | LFPAK56, PowerSO8, SOT669 |
| Drain current | 100A |
| Drain-source voltage | 30V |
| Features of semiconductor devices | logic level |
| Gate charge | 70nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | NEXPERIA |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 1.15mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
