QPD1014SR, GaN FETs .03-1.2GHz 15W 50V GaN

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

28 шт., срок 5-7 недель

Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка

21 230 руб.

от 25 шт. — 13 280 руб.

1 шт. на сумму 21 230 руб.

Плати частями
от 5 309 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8005279416

Артикул: QPD1014SR

Бренд: Qorvo Inc.

Unclassified

Brand:	Qorvo
Development Kit:	QPD1014EVB01
Factory Pack Quantity:	100
Gain:	18.4 dB
Id - Continuous Drain Current:	1 A
Manufacturer:	Qorvo
Maximum Drain Gate Voltage:	55 V
Maximum Operating Temperature:	+85 C
Minimum Operating Temperature:	-40 C
Moisture Sensitive:	Yes
Mounting Style:	SMD/SMT
Operating Frequency:	30 MHz to 1.2 GHz
Output Power:	12.5 W
Package/Case:	DFN-8
Part # Aliases:	QPD1014
Pd - Power Dissipation:	15.8 W
Product Category:	RF JFET Transistors
Product Type:	RF JFET Transistors
Subcategory:	Transistors
Technology:	GaN SiC
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	HEMT
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	50 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:	145 V
Вес, г	1