T2G6003028-FS, RF JFET Transistors DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
61 шт., срок 4-7 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
59 260 руб.
от 25 шт. —
36 780 руб.
1 шт.
на сумму 59 260 руб.
Плати частями
от 14 815 руб. × 4 платежа
от 14 815 руб. × 4 платежа
Описание
RF & Wireless\RF Transistors\RF JFET Transistors
QPD GaN RF Transistors Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Package/Case: | NI-200 |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | T2G6003028 1100021 |
| Product Category: | RF JFET Transistors |
| Product Type: | RF JFET Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | GaN-on-SiC |
| Transistor Type: | HEMT |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2802 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
