TGA2222, RF Amplifier GaN Amplifier

TGA2222, RF Amplifier GaN Amplifier
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
20 шт., срок 4-7 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
128 600 руб.
Кратность заказа 10 шт.
10 шт. на сумму 1 286 000 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005279619
Артикул: TGA2222
Бренд: Qorvo Inc.

Описание

RF & Wireless\RF Integrated Circuits\RF Amplifier
TGA2222 Wide Band Power Amplifier MMIC Qorvo TGA2222 Wide Band Power Amplifier MMIC provides 40dBm (10W) saturated output power and 16dB large-signal gain within a 32GHz to 38GHz frequency range. The power amplifier is fabricated on 0.15µ gallium nitride (GaN) with silicon carbide (SiC) processing (QGaN15). The amplifier employs a balanced architecture to minimize performance-sensitivity-to-load variation. TGA2222 radio frequency ports are DC-coupled to ground for optimum electrostatic discharge (ESD) performance. The amplifier has DC-blocking capacitors on both RF ports, which are matched to 50Ω. TGA2222 can support a wide range of operating conditions, including continuous-wave (CW) operation, making it ideal for commercial and military systems.

Технические параметры

Brand: Qorvo
Development Kit: TGA2222EVB1
Factory Pack Quantity: 10
Gain: 21.6 dB
Input Return Loss: 17 dB
Manufacturer: Qorvo
Maximum Operating Temperature: +85 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Operating Frequency: 32 GHz to 38 GHz
Operating Supply Current: 640 mA
Operating Supply Voltage: 26 V
Package / Case: Die
Pd - Power Dissipation: 60 W
Product Category: RF Amplifier
Product Type: RF Amplifier
Subcategory: Wireless & RF Integrated Circuits
Technology: GaN
Test Frequency: 38 GHz
Type: Power Amplifiers

Техническая документация

Datasheet TGA2222EVB1
pdf, 551 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «ВЧ усилители»
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.