VS-C20ET07T-M3, PIN Diodes Si CARBIDE DIODE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 010 руб.
от 10 шт. —
1 640 руб.
от 100 шт. —
1 270 руб.
от 250 шт. —
1 134.44 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 010 руб.
Плати частями
от 504 руб. × 4 платежа
от 504 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Wireless & RF Semiconductors\PIN Diodes
Регулируемые резистивные диоды Si CARBIDE DIODE
Технические параметры
If - прямой ток | 20 A |
Ir - обратный ток | 100 uA |
Pd - рассеивание мощности | 119 W |
Vf - прямое напряжение | 1.7 V |
Vr - обратное напряжение | 650 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Регулируемые резистивные диоды |
Конфигурация | Single |
Максимальная ёмкость диода | 105 pF |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | Diodes Rectifiers |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Технология | SiC |
Тип | PIN Schottky Diode |
Тип продукта | PIN Diodes |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220AC-2 |
Diode Configuration | Single |
Diode Technology | SiC Schottky |
Diode Type | SiC Schottky |
Maximum Continuous Forward Current | 20A |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | 2L TO-220AC |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
Pin Count | 3 |
Rectifier Type | Schottky Diode |
Average Forward Current | 20А |
Repetitive Peak Reverse Voltage | 650В |
Количество Выводов | 2 Вывода |
Полный Емкостной Заряд Qc | 68нКл |
Стиль Корпуса Диода | TO-220AC |
Тип Монтажа Диода | Сквозное Отверстие |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды прочие»
Типы корпусов импортных диодов