MMZ09332BT1, RF Amplifier InGaP HBT Linear Amplifier, 130-1000 MHz, 30 dB, 33 dBm
![MMZ09332BT1, RF Amplifier InGaP HBT Linear Amplifier, 130-1000 MHz, 30 dB, 33 dBm](https://static.chipdip.ru/lib/332/DOC005332896.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 240 руб.
от 10 шт. —
1 950 руб.
от 25 шт. —
1 780 руб.
от 100 шт. —
1 386.23 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 240 руб.
Плати частями
от 560 руб. × 4 платежа
от 560 руб. × 4 платежа
Описание
RF & Wireless\RF Integrated Circuits\RF Amplifier
QFN-12-EP(3x3) RF Amplifiers ROHS
Технические параметры
Количество Выводов | 12вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Максимальная Частота | 1000МГц |
Максимальное Напряжение Питания | 5В |
Минимальная Частота | 130МГц |
Минимальное Напряжение Питания | 3В |
Стиль Корпуса Радиочастотной Микросхемы | HVQFN |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Усиление | 30дБ |
Applications | - |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet MMZ09332BT1
pdf, 1201 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем