MMZ09332BT1, RF Amplifier InGaP HBT Linear Amplifier, 130-1000 MHz, 30 dB, 33 dBm

MMZ09332BT1, RF Amplifier InGaP HBT Linear Amplifier, 130-1000 MHz, 30 dB, 33 dBm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 240 руб.
от 10 шт.1 950 руб.
от 25 шт.1 780 руб.
от 100 шт.1 386.23 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 240 руб.
Плати частями
от 560 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005357744
Артикул: MMZ09332BT1
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

RF & Wireless\RF Integrated Circuits\RF Amplifier
QFN-12-EP(3x3) RF Amplifiers ROHS

Технические параметры

Количество Выводов 12вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Максимальная Частота 1000МГц
Максимальное Напряжение Питания
Минимальная Частота 130МГц
Минимальное Напряжение Питания
Стиль Корпуса Радиочастотной Микросхемы HVQFN
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Усиление 30дБ
Applications -
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet MMZ09332BT1
pdf, 1201 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем