AFGHL40T65SQD, IGBT Transistors AEC 101 Qualified, 650V, 40A Fieldstop 4 trench IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 720 руб.
от 10 шт. —
1 420 руб.
от 25 шт. —
1 300 руб.
от 100 шт. —
1 034.10 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 720 руб.
Плати частями
от 430 руб. × 4 платежа
от 430 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
The ON Semiconductor Field Stop Trench IGBT offers the optimum performance for both hard and soft switching topology in automotive application.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±30.0V |
Maximum Power Dissipation | 238 W |
Number of Transistors | 30 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet AFGHL40T65SQD
pdf, 262 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов