AFGHL75T65SQDT, IGBTs 650V/75A FS4 IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 690 руб.
от 10 шт. —
1 460 руб.
от 25 шт. —
1 270 руб.
от 100 шт. —
1 069.98 руб.
1 шт.
на сумму 1 690 руб.
Плати частями
от 424 руб. × 4 платежа
от 424 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
AFGHL75T65SQDx Field Stop Trench IGBTs onsemi AFGHL75T65SQDx Field Stop Trench IGBTs implement field stop 4th generation high-speed IGBT technology. onsemi AFGHL75T65SQDx Field Stop Trench IGBTs offer optimum performance for hard- and soft-switching topologies in automotive applications. The IGBTs feature tight parameter distribution, fast and very low switching, and conduction losses. Typical applications include power factor correction (PFC), hard switching, DC-DC converters, hybrid/electric vehicle (xEV) onboard and offboard chargers, and industrial inverters.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 300 A |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 339 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
