BAT54CLT3G, Schottky Diodes & Rectifiers SS DUAL CC

Фото 1/2 BAT54CLT3G, Schottky Diodes & Rectifiers SS DUAL CC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
35 руб.
от 10 шт.25 руб.
от 100 шт.11 руб.
от 1000 шт.5.92 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 35 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Посмотреть аналоги20
Номенклатурный номер: 8005368578
Артикул: BAT54CLT3G

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Diodes & Rectifiers\Schottky Diodes & Rectifiers
This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange.

Технические параметры

Brand ON Semiconductor
Configuration Dual Common Cathode
Factory Pack Quantity 10000
If - Forward Current 200 mA
Ifsm - Forward Surge Current 600 mA
Ir - Reverse Current 2 uA
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature +125 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Operating Temperature Range -55 C to+125 C
Package / Case SOT-23
Packaging Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation 225 mW
Product Schottky Diodes
Product Category Schottky Diodes и Rectifiers
Product Type Schottky Diodes и Rectifiers
Series BAT54C
Subcategory Diodes и Rectifiers
Technology Si
Termination Style SMD/SMT
Trr - Reverse Recovery Time 5 ns
Type Schottky Diode
Vf - Forward Voltage 0.8 V
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage 30 V
Diode Configuration Common Cathode
Diode Technology Schottky Barrier
Diode Type Schottky
Maximum Continuous Forward Current 200mA
Maximum Forward Voltage Drop 240mV
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type SOT-23
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current 600mA
Peak Reverse Recovery Time 5ns
Peak Reverse Repetitive Voltage 30V
Pin Count 3
Rectifier Type Schottky Diode
Вес, г 0.008

Техническая документация

Datasheet
pdf, 85 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BAT54CLT3G
pdf, 56 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов