FFSB0665B, SiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD GEN1.5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
640 руб.
от 10 шт. —
500 руб.
от 100 шт. —
376 руб.
1 шт.
на сумму 640 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon.
Технические параметры
| Average Forward Current | 6А |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 650В |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 16нКл |
| Стиль Корпуса Диода | TO-263 |
| Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Diode Configuration | Single |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Maximum Continuous Forward Current | 8A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 523A |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Pin Count | 3 |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 329 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов
